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砷化鎵(GaAs)晶圓切割實(shí)例
發(fā)布時(shí)間:2022-10-31 點(diǎn)擊數(shù):3159

砷化鎵晶圓的材料特性

砷化鎵(GaAs)是國(guó)際公認(rèn)的繼“硅”之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料,具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性,作為第二代半導(dǎo)體材料中價(jià)格昂貴的一種,被冠以“半導(dǎo)體貴族”之稱,是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。


砷化鎵晶圓的脆性高,與硅材料晶圓相比,在切割過程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現(xiàn)象,使芯片的晶體內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力損傷,導(dǎo)致產(chǎn)品失效和使用性能降低。

砷化鎵晶圓的應(yīng)用

用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),可用于生產(chǎn)二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和集成電路(IC)等,主要應(yīng)用于高端軍事電子、光纖通信系統(tǒng)、寬帶衛(wèi)星無線通信系統(tǒng)、測(cè)試儀器、汽車電子、激光、照明等領(lǐng)域。


目前,基于砷化鎵襯底的led發(fā)光芯片在市場(chǎng)上有大量需求。

選刀要點(diǎn)

切割砷化鎵晶圓,通常采用輪轂型電鍍劃片刀,選刀不當(dāng)極易造成晶片碎裂,導(dǎo)致成品率偏低。用極細(xì)粒度金剛石(4800#,5000#)規(guī)格的刀片,能有效減少晶片碎裂,但切割之前需要進(jìn)行修刀。

案例實(shí)錄

?

測(cè)試目的

1、對(duì)比測(cè)試

2、驗(yàn)證切割品質(zhì)



?

材料情況

切割產(chǎn)品

砷化鎵外延片

產(chǎn)品尺寸

4寸

產(chǎn)品厚度

100μm

膠膜類型

藍(lán)膜


?

修刀參數(shù)

修刀板型號(hào)

5000#

尺寸規(guī)格

75x75x1mm

修刀速度

8/10/15 mm/s

修刀刀數(shù)

3種速度各5刀



?

工藝參數(shù)

切割工藝

單刀切透

設(shè)備型號(hào)

DAD322

主軸轉(zhuǎn)速

38K rpm

進(jìn)刀速度

CH2:25mm/s  CH1:35mm/s

刀片高度

CH2:0.08mm   CH1:0.07mm


?

樣刀準(zhǔn)備


SSTYE 5000-R-90-AAA


?

樣刀規(guī)格

刀片型號(hào)

5000-R-90 AAA

金剛石粒度

5000#

結(jié)合劑硬度

R(硬)

集中度

90

切痕寬度

0.015-0.020


?

測(cè)試結(jié)果

1、刀痕良好,<18μm,在控制范圍內(nèi)。

2、正面崩邊<3μm。

3、背面崩邊<15μm,在控制范圍內(nèi)。

切割效果

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