作為一種寬禁帶材料,碳化硅(SiC)由于其寬帶隙、高機械強度和高導熱性,被認為是電子工業中硅(Si)基半導體的替代材料。例如,SiC功率器件可以在更高的電壓、頻率和溫度下工作,而且能夠以更高的效率或更低的功率損耗來轉換電力。與此同時,碳化硅是一種非常硬和脆的材料(莫氏硬度達9.2),這就造成了工藝加工的難題。特別是在晶圓減薄和晶圓劃切過程中更是如此。
金剛石劃片刀是目前切割SiC晶圓的常用技術。晶圓固定在UV膜上,通過高速旋轉的金剛石電鍍刀片來進行切割。切割道的寬度通常在50到 100 微米的范圍內。由于SiC的硬度,刀片切割的切割速度較低,而且切割刀片的磨損較高,切割難度大。所以采用金剛石劃片刀進行切割需要分兩刀,先開槽后切斷,實現正面背面崩缺最小。且在一定程度上提升切割效率。另外,配合超聲波刀片可以更高效切割。
除此以外,就是激光切割,需要用刀劃片機以外的設備。